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ASMLとTSMC、High NA EUV向け12インチマスクへの移行で協業
Posted on 2026/09/14
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ASMLと台湾積体電路製造（TSMC）は、半導体業界で極端紫外線（EUV）リソグラフィー用マスクを現行の6インチから12インチへ移行するため、協業を開始すると発表した。12インチマスクの導入により、半導体工場の生産性向上や製造コスト低減が期待される。High NA EUV露光で2枚の6インチマスクをつなぎ合わせる必要もなくなり、先端半導体のコスト効率向上につながる。
TSMCは2030年から先端プロセスの量産にASMLのHigh NA技術を導入する意向を示している。AI用途の拡大に伴い、トランジスタ構造が複雑化する中、High NA EUVを用いるマスク層数も増えると見込む。
両社は7日、米カリフォルニア州モントレーで開催されたSPIEの先端リソグラフィー技術関連イベントを前に協業を発表。2031年までに12インチマスクの試作ラインを構築し、2033年の12インチHigh NAリソグラフィーシステムによる先端プロセス量産への導入に備える。