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AIメモリー投資が活発化　MicronとNanya Technologyが台湾で事業拡大

Posted on 2026/10/02

MicronはHBM・先端DRAMを強化、Nanya Technologyは屏東で3Dウエハー積層技術を展開

AIサーバーの普及に伴い、高帯域幅メモリー（HBM）や先端DRAMの需要が拡大する中、メモリーメーカーによる台湾への投資が活発化している。Micron Technologyは桃園、台中、苗栗・銅鑼、台南の4拠点で生産・開発体制を拡充しており、台中ではHBM向け先端パッケージング第2工場を10月中旬に稼働する予定だ。一方、Nanya Technology（南亜科技）は南部サイエンスパーク屏東園区への進出が承認され、先端3Dウエハーパッケージングとテスト事業を展開する。

Micronによると、2026年6月までの台湾への累計投資額は1兆6,000億台湾ドルを超え、このうち約半分が直近4年間に集中している。台湾では1α、1β、1γ世代のDRAMプロセスを導入しており、1γは同社として初めてEUV露光技術を採用したDRAMプロセスとなる。AIコンピューティングによるHBM需要の拡大を背景に、台湾で前工程のウエハー製造から後工程の先端パッケージングまでの体制を強化する。

台中のHBMパッケージング拠点に加え、Micronは2026年に取得した苗栗・銅鑼のP5工場で装置の導入を進め、第2工場の建設にも着手した。桃園のFab 11Eでは先端DRAMプロセスの導入を進め、2028年前後の稼働を予定する。台南拠点でも装置の導入を開始し、前工程のウエハーテスト能力を拡充している。

Nanya Technologyは10月1日、台湾国家科学及技術委員会（NSTC）から屏東サイエンスパークへの進出承認を取得した。TSV（シリコン貫通電極）やウエハー積層技術を活用し、大容量・高帯域幅・低遅延・低消費電力のメモリーモジュール開発を進める。現時点では、投資額や具体的な建設スケジュールは公表されていない。

Micronによる先端DRAM・HBMの生産能力拡充と、Nanya Technologyによる3Dウエハーパッケージングへの投資から、台湾のメモリー産業では、従来型の生産能力増強だけでなく、AIコンピューティングを支える先端プロセス、HBM、先端パッケージングへと投資領域が広がっている。これにより、台湾におけるAIメモリーのサプライチェーン形成がさらに進みそうだ。



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