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AIがメモリー生産能力の配分を変える HBM拡大で汎用DRAMの供給に影響
Posted on 2026/10/02
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10～12月期はDRAM・NANDとも価格上昇へ サーバーとEnterprise SSD需要がけん引
AIサーバー市場の拡大を背景に、世界のメモリー生産能力が高性能製品へシフトしている。TrendForceは、2026年10～12月期の汎用DRAM契約価格が前四半期比10～15％、NAND Flashが15～20％上昇すると予測している。クラウドサービスプロバイダー（CSP）によるAIインフラ投資の拡大が主な要因だ。
HBMと汎用DRAMは一部のウエハー生産能力を共有しているため、メモリーメーカーが先端プロセスをHBMやサーバー向け製品へ優先的に振り向けることで、汎用DRAMの供給にも影響が及んでいる。Samsung Electronicsによると、HBMは現在、世界のDRAMウエハー生産能力の約20％を占め、2027年には30％近くまで上昇する可能性がある。
TrendForceは、サーバーDRAMについて10～12月期も供給不足が続くとみている。PC向けDRAMも、2027年には生産能力のサーバー向けシフトによって供給量がさらに減少する可能性がある。コンシューマー向けDRAMでは主要メーカーが生産を抑制しており、台湾メーカーへの依存度が高まることで、世界的な供給再編における台湾メモリー企業の役割も注目されている。
NAND市場では用途による需要の差が鮮明になっている。一般消費者向け需要が比較的低調な一方、AI推論やAgentic AIの普及に伴ってデータストレージ需要が拡大している。TrendForceは、2026年のEnterprise SSDのビット需要が前年比80％以上増加すると予測している。
HBM、サーバーDRAM、Enterprise SSDがより多くの生産能力を吸収する中、AI需要の影響は高性能メモリーだけでなく、汎用DRAMやNAND市場にも広がりつつある。台湾ではMicronが先端DRAMとHBMへの投資を拡大しており、Nanya Technology（南亜科技）やWinbond Electronics（華邦電子）など台湾メモリーメーカーの今後の事業展開も注目される。