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TSMC、2ナノ生産能力を2027年に倍増へ 次世代「A14」は2028年量産、High NA EUVは2030年導入
Posted on 2026/10/16
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台湾積体電路製造（TSMC）は15日、先端半導体の製造技術に関する最新計画を明らかにした。魏哲家会長兼最高経営責任者（CEO）によると、2025年10～12月期に量産を開始した2ナノメートル（N2）プロセスは、新竹と高雄の両拠点で増産が進んでおり、2027年にはN2ファミリーの年間生産能力を2026年比で2倍超に引き上げる。
次世代のA14プロセスについては、2027年にリスク生産を開始し、2028年の量産を予定する。魏氏は、同じ開発段階で比較した顧客の開発活動が2ナノを上回っていると説明し、A14は将来的にN2を上回る事業規模になるとの見通しを示した。
3ナノについては、台湾南部の台南科学園区で新たな生産拠点を整備し、2027年上期と2028年上期にそれぞれ量産を開始する計画だ。既存の5ナノ向け製造装置の転用や生産効率の改善も進め、供給能力を拡大する。
露光技術では、高開口数の極端紫外線露光装置（High NA EUV）を2030年に導入する計画を示した。魏氏は、装置の導入時期について、技術の成熟度や製造コスト、量産効率を総合的に判断すると説明。競合他社が先行して採用した場合でも、TSMCの技術競争力に影響はないとの認識を示した。
先端パッケージングでは、露光装置のレチクルサイズの5倍に相当する大型パッケージの量産を実現しており、9倍、14倍サイズの技術開発も進めている。現在はCoWoSが主力技術だが、今後はCoPoSなどの新技術を通じてコスト削減や生産能力の拡大を目指す。
AI半導体の大型化や高集積化が進むなか、微細化技術と先端パッケージングを組み合わせた製造能力が、半導体メーカーの競争力を左右する要素となりそうだ。